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參數資料
| 型號： | MA2ZD14 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F1, SC-76, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | MA2ZD14 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2ZD14
Silicon epitaxial planar type
For high-speed switching circuits
I
Features
S-mini type 2-pin package
Low forward rise voltage V
F
(V
F
<
0.4 V)
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Marking Symbol: 2N
Note) * : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
(non-repetitive)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
20
V
Repetitive peak reverse voltage
20
V
Average forward current
I
F(AV)
I
FM
100
mA
Peak forward current
300
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
1
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
= 10 V
I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
20
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F1
V
F2
C
t
0.27
V
0.40
V
Terminal capacitance
25
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
3.0
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
1 : Anode
2 : Cathode
S-Mini Type Package (2-pin)
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Internal Connection
1
2
K
A
0
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
2.5
±
0.2
1.7
±
0.1
0.4
±
0.1
0.4
±
0.1
0
+
0
0
2
1
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
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PDF描述 |
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