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參數資料
| 型號： | MA3S132K |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, SC-81, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MA3S132K |
Switching Diodes
MA3S132K
Silicon epitaxial planar type
1
For switching circuits
I
Features
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance, C
t
Super-small SS-mini type package, allowing high-density mount-
ing
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
80
V
Peak reverse voltage
V
RM
I
F
I
FM
80
V
Forward current (DC)
100
mA
Peak forward current
225
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
500
mA
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
=
75 V
I
F
=
100 mA
I
R
=
100
μ
A
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
100
nA
Forward voltage (DC)
V
F
V
R
C
t
1.2
V
Reverse voltage (DC)
80
V
Terminal capacitance
2
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
=
10 mA, V
R
=
6 V
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
3
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
Marking Symbol: MI
Note) * : t = 1 s
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
SS-Mini Type Package (3-pin)
Internal Connection
1
2
3
1.60
±
0.1
1
+
0
0
0
+
0
0
0
+
0
0
0.80
1
2
0.44
0.44
3
0.80
±
0.05
0
0
±
0
0
0
0
0
±
0
0
±
0
0.88
+
0.05
0.03
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
38 W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| MA3S132D | Silicon epitaxial planar type |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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