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參數資料
型號: MA3S795
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon epitaxial planar type
中文描述: 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, SC-81, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 46K
代理商: MA3S795
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3S795
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits
I
Features
Extra-small SS-mini type 3-pin package, allowing high-density
mounting
Optimum for low-voltage rectification because of its low forward
rise voltage (V
F
) (Low V
F
type of MA3X704A)
Optimum for high-frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Marking Symbol: M2M
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RM
30
V
For switching circuits
30
V
Forward current (DC)
I
F
I
FM
T
j
30
mA
Peak forward current
150
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
SS-Mini Type Package(3-pin)
Internal Connection
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F1
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 1 V, f
= 1 MHz
30
μ
A
Forward voltage (DC)
0.3
V
V
F2
C
t
1
V
Terminal capacitance
1.5
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
1
ns
Detection efficiency
η
V
in
= 3 V
(peak)
, f
= 30 MHz
R
L
= 3.9 k
, C
L
= 10 pF
65
%
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1.60
±
0.1
1
+
0
0
0
+
0
0
0
+
0
0
0.80
1
2
0.44
0.44
3
0.80
±
0.05
0
0
±
0
0
0
0
0
±
0
0
±
0
0.88
+
0.05
0.03
1
2
3
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