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參數(shù)資料
| 型號： | MA3X199 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.1 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | MA3X199 |
Switching Diodes
MA3X199
Silicon epitaxial planar type
1
For high voltage switching circuit
I
Features
High breakdown voltage: V
R
= 200 V
Short reverse recovery time t
rr
Small package, allowing automatic mounting
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
200
V
Repetitive peak reverse voltage
250
V
Average forward current
I
F(AV)
I
FRM
100
mA
Repetitive peak forward current
225
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
500
mA
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
= 200 V
I
F
= 100 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
1
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F
C
t
1.2
V
Terminal capacitance
3
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
60
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
= 25
°
C
Note) 1. Rated input/output frequency: 20 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
Internal Connection
Marking Symbol: M3A
Note) * : t = 1 s
2.8
+
0.2
0.3
+
0.25
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
2
+
0
0
1
3
2
JEDEC : TO-236
EIAJ : SC-59
Mini Type Package (3-pin)
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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