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參數資料
| 型號： | MA3Z080E |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | MA3Z080E |
1
Band Switching Diodes
MA3Z080D, MA3Z080E
Silicon epitaxial planar type
Unit : mm
Internal Connection
For band switching
I
Features
Low forward dynamic resistance r
f
Less voltage dependence of diode capacitance C
D
S-mini type package containing two elements, allowing
downsizing of equipment and automatic insertion through the
taping package
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
I
F
35
V
Forward current (DC)
100
mA
Operating ambient temperature
*
T
opr
T
stg
25 to
+
85
55 to
+
150
°
C
°
C
Storage temperature
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F
C
D
V
R
= 33 V
I
F
= 100 mA
V
R
= 6 V, f
= 1 MHz
I
F
= 2 mA, f
= 100 MHz
0.01
100
nA
Forward voltage (DC)
0.92
1.0
V
Diode capacitance
0.9
1.2
pF
Forward dynamic resistance
*
r
f
0.65
0.85
I
Electrical Characteristics
T
a
= 25
°
C
Note) 1 Each characteristic is a standard for individual diodes
2 Rated input/output frequency: 100 MHz
3 * : r
f
measuring instrument: YHP MODEL 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER
Note) * : Maximum ambient temperature during operation
1
2
3
1
3
2
D
E
1.25
±
0.1
1
±
0
2
±
0
0
±
0
0
0
0.425
0.425
0
+
0
0
2.1
±
0.1
0
+
0
0
1
2
3
1 : Cathode 1
2 : Cathode 2
3 : Anode 1, 2
EIAJ : SC-70
Flat S-Mini Type Package (3-pin)
Marking Symbol
MA3Z080D :
M1X
MA3Z080E :
M1Y
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA3Z551 | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z792D | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z792E | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z793 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA793 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MA3Z551 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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| MA3Z792D | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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