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參數資料
| 型號： | MA4X160A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI4-G1, SC-61, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | MA4X160A |
Switching Diodes
MA4X160A
Silicon epitaxial planar type
1
For switching circuits
I
Features
Two isolated elements contained in one package, allowing high-
density mounting
Centrosymmetrical wiring, allowing to free from the taping
direction
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance, C
t
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F
V
R
= 75 V
I
F
= 100 mA
I
R
= 100
μ
A
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
0.1
μ
A
Forward voltage (DC)
0.95
1.2
V
Reverse voltage (DC)
V
R
C
t
80
V
Terminal capacitance
0.9
2
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= 10 mA, V
R
= 6 V
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
3
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
= 25
°
C
Note) * : t = 1 s
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
Unit : mm
Internal Connection
1 : Cathode 1
2 : Anode 2
3 : Cathode 2
4 : Anode 1
Mini Type Package (4-pin)
4
1
3
2
2.8
+
0.2
0.3
1.5
+
0.25
0.05
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
0.5 R
1
2
4
3
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
0
+
0
0
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
0
2
+
0
0
Marking Symbol: M1E
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
I
F(AV)
80
V
Repetitive peak reverse voltage
80
V
Reverse voltage
Single
100
mA
(DC)
Double
I
F(AV)
I
FRM
I
FRM
75
mA/Unit
Repetitive peak
forward current
Single
225
mA
Double
170
mA/Unit
Non-repetitive peak
forward surge current
*
Single
I
FSM
I
FSM
T
j
500
mA
Double
375
mA/Unit
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
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