型號: | MAPRST0002 |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
封裝: | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2 |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大小: | 138K |
代理商: | MAPRST0002 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MAPS-008343-PKG003 | 2300 MHz - 3800 MHz, 22.5 deg - 360 deg RF/MICROWAVE PHASE SHIFTER |
MAS9124A1GB06 | 3.3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.32 V DROPOUT, PDSO5 |
MAS9124A1GC06 | 3.3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.32 V DROPOUT, PDSO5 |
MAS9124A2GB06 | 2.8 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.32 V DROPOUT, PDSO5 |
MAS9124A2GC06 | 2.8 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.32 V DROPOUT, PDSO5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
MAPRST0912-350 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MAPRST0912-50 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MAPRST1030-1KS | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MAPRST1214-030UF | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:RADAR PULSED POWER TRANSISTOR |
MAPRST1214-150UF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.2-1.4GHz 150W Gain: 7.4dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |