- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄380457 > MAZT068 (Panasonic Corporation) ESD Diodes Silicon planar type PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MAZT068 |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | ESD Diodes Silicon planar type |
| 中文描述： | ESD二極管硅平面型 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MAZT068 |
ESD Diodes
MAZTxxxH Series
Silicon planar type
1
Publication date: November 2004
SKE00013DED
For surge absorption circuit
■
Features
Two elements anode-common type
Power dissipation P
D
: 150 mW
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
*
P
D
150
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
■
Common Electrical Characteristics
T
a
= 25°C
±
3°C
Note)*: P
D
= 150 mW achieved with a printed circuit board.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Zener voltage
*
V
Z
I
Z
Specified value
V
Zener rise operating resistance
R
ZK
R
Z
I
Z
I
Z
Specified value
μ
A
Zener operating resistance
Specified value
Reverse current
I
R
V
R
Specified value
0.28
±
0.05
3
1
2
0.28
±
0.05
(0.51)
(0.80)
1.60
+0.05
0.12
+0.05
0.60
+0.05
(0.80)
(0.51)
0
(
3
(
(
0
(
+
–
0
±
0
(
1
±
0
3
Refer to the list of the
electrical characteristics
within part numbers
Internal Connection
1
3
2
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Electrostatic breakdown voltage:
±
10 kV
Test method: IEC1000-4-2 (C
=
150 pF, R
=
330
, Contact discharge: 10 times)
3. *: The temperature must be controlled 25°C for V
Z
mesurement.
V
Z
value measured at other temperature must be adjusted to V
Z
(25°C)
V
Z
guaranted 20 ms after current flow.
1: Cathode 1
2: Cathode 2
3: Anode
EIAJ: SC-81
SSMini3-F2 Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAZU300-H | Silicon planar type |
| MAZU000 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015 E/F/R; Body Material:Metal; Series:MS3106R; Number of Contacts:3; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight |
| MAZU190 | Silicon planar type |
| MAZU200 | Silicon planar type |
| MAZU200-H | Silicon planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MAZT068H | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:ESD Diodes Silicon planar type |
| MAZT068H0L | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 150MW SS MINI RoHS:是 類(lèi)別:過(guò)電壓，電流，溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 反向隔離（標(biāo)準(zhǔn)值）:12V 電壓 - 擊穿:13.3V 功率（瓦特）:200W 電極標(biāo)記:單向 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:Powermite 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):1PMT12AT1OSDKR |
| MAZT082H | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:ESD Diodes Silicon planar type |
| MAZT082H0L | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 150MW SS MINI RoHS:否 類(lèi)別:過(guò)電壓，電流，溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:SMAJ,SMBJ Series SMBJ Series Footprint 特色產(chǎn)品:SMAJ/SMBJ/SMCJ/SMLJ - Discrete TVS Diodes 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:SMBJ 電壓 - 反向隔離（標(biāo)準(zhǔn)值）:60V 電壓 - 擊穿:66.7V 功率（瓦特）:600W 電極標(biāo)記:雙向 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SMB 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:2377 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SMBJ60CABDKRSMBJ60CADKRSMBJ60CADKR-ND |
| MAZT100H | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:ESD Diodes Silicon planar type |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。