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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB84VA2102 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（x16）的快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 26/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 422K |
| 代理商： | MB84VA2102 |
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26
MB84VA2102
-10
/MB84VA2103
-10
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
(Flash)
I
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(SRAM)
* : 5
μ
A (Max.) at T
A
= –20°C to +40°C
CE1s Controlled Data Retention Mode (Note 1)
Parameter
Limits
Unit
Comment
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
15
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Programming Time
—
16
5,200
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
16.8
100
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DH
Data Retention Supply Voltage
2.0
—
3.6
V
I
DDS2
Standby Current
V
DH
= 3.0 V
—
—
50*
μ
A
V
DH
= 3.6 V
—
—
60
μ
A
t
CDR
Chip Deselect to Data Retention Mode Time
0
—
—
ns
t
R
Recovery Time
5
—
—
ms
V
CC
s
2.7 V
V
IH
GND
DATA RETENTION MODE
See Note 2
t
CDR
CE1s
V
CCS
–0.2 V
See Note 2
t
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VA2102-10 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2103 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2103-10 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VP24491HK-70PBS | RES NET BUSSED 150 OHM 6-SIP |
| MB84VP24491HK | 128M (X16) FLASH MEMORY 32M (X16) Mobile FCRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VA2102-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2103 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2103-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2104 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2104-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
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