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參數資料
| 型號： | MBM29DS163TE10TR |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | FLASH MEMORY CMOS 16 M (2 M X 8/1 M X 16) BIT Dual Operation |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數： | 1/67頁 |
| 文件大小： | 330K |
| 代理商： | MBM29DS163TE10TR |
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DS05-20891-4E
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
FLASH MEMORY
CMOS
16 M (2 M
×
8/1 M
×
16) BIT
Dual Operation
MBM29DS163TE/BE
10
I
DESCRIPTION
The MBM29DS163TE/BE is 16 M-bit, 1.8 V-only Flash memory organized as 2 M bytes of 8 bits each or 1 M
words of 16 bits each. The device is offered in 48-pin TSOP (1) and 48-ball FBGA packages. This device is
designed to be programmed in system with standard system 1.8 V V
CC
supply. 12.0 V V
PP
and 5.0 V V
CC
are not
required for write or erase operations. The device can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.
(Continued)
I
PRODUCT LINE UP
I
PACKAGES
48-pin plastic TSOP (1)
Part No.
MBM29DS163TE/BE10
V
CC
=
2.0 V
100
Power Supply Voltage (V)
Max Address Access Time (ns)
Max CE Access Time (ns)
100
Max OE Access Time (ns)
35
+
0.2 V
48-pin plastic TSOP (1)
48-ball plastic FBGA
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-48P-M11)
Marking Side
Marking Side
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F004BC-70PD | FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT |
| MBM29F004BC-70PFTN | FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT |
| MBM29F004BC-70PFTR | FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT |
| MBM29F004BC-90PD | FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT |
| MBM29F004BC-90PFTN | FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBM29F002BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002BC-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002BC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002BC-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002T-90PD# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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