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參數資料
| 型號： | MBRD1040CT |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 10A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 中文描述： | 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | MBRD1040CT |
Note:
Pins 1 & 3 must be electrically
connected at the printed circuit board.
DS30282 Rev. 3 - 2
1 of 3
MBRD1040
MBRD1040
10A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Capability
High Maximum Junction Temperature Rating
Very Low Forward Voltage Drop
Very Low Leakage Current
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Applications
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Case: DPAK Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: See Diagram
Marking Information: See Page 2
Weight: 0.4 grams (approx.)
Mechanical Data
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
P
4
1
2
3
PIN 1
PIN 3
PIN 4, BOTTOMSIDE
HEAT SINK
Characteristic
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Typical Thermal Resistance Junction to Case
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
40
V
28
10
V
A
(Also see Figure 4)
I
FSM
100
A
R
JC
R
JA
T
j
T
STG
6.0
80
C/W
C/W
C
°C
-65 to +150
-65 to +150
N
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
V
(BR)R
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
I
R
= 1mA
I
F
= 8A, T
S
= 25 C
I
F
= 8A, T
S
= 125 C
I
F
= 10A, T
S
= 25 C
T
S
= 25 C, V
R
= 35V
T
S
= 100 C, V
R
= 35V
f = 1.0MHz, V
R
= 4.0V DC
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)
40
V
Forward Voltage (Note 1)
V
FM
0.45
0.47
0.1
12.5
700
0.49
0.41
0.51
0.3
25
V
Peak Reverse Current (Note 1)
I
RM
mA
Junction Capacitance
C
j
pF
Notes:
1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
DPAK
Min
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
P
All Dimensions in mm
Max
6.3
6.7
10
0.3
0.8
2.3 Nominal
2.1
2.5
0.4
0.6
1.2
1.6
5.3
5.7
0.5 Nominal
1.3
1.8
1.0
5.1
5.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRD1040CT-T | 10A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| MBRD460CT | 4A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| MBRD460CT-T | 4A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| MBRF10H100CT | Dual High-Voltage Schottky Rectifiers |
| MBRB10H100CT | CAP/CERAMIC/FIX/SMD/47PF/50V/5%/0603 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBRD1040CT-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY DUAL 40V 5A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
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| MBRD1040-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 10A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MBRD1040-T-F | 功能描述:DIODE SWITCH FAST 10A 40V DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MBRD1045 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package |
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