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參數資料
| 型號： | MBT3904DW |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon |
| 中文描述： | 雙通用npn型NPN硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | MBT3904DW |
Dual General Purpose Transistor
NPN+NPN Silicon
Maximum Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
Value
40
60
6.0
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Rating
MBT3904DW=MA
Device Marking
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MBT3904DW
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(2)
(I
C
=1.0mAdc.I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
=10 uAdc, I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (I
E
=10 uAdc, I
C
=0)
Base Cutoff Current (V
CE
=30 Vdc, V
EB
=3.0 Vdc)
Collector Cutoff Current (V
CE
=30Vdc, V
EB
=3.0Vdc)
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
BL
I
CEX
50
50
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
Off Characteristics
40
60
6.0
-
-
-
-
-
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
Electrical Characteristics
(T
A
=25 C Unless Otherwise noted)
Total Device Dissipation T
A
=25 C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage, Temperature
Characteristics
TJ,Tstg
PD
Symbol
Max
150
833
-55 to +150
Unit
mW
C/W
C
Thermal Characteristics
R JA
1. Device Mounted FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimun recommended footprint.
2. Pulse Test:Pulse Width 300uS, Duty Cycle 2.0%
SOT-363(SC-88)
3
4
5
1
2
6
NPN+NPN
123
654
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| MC2831 | FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE |
| MC2832 | FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION SILICON EPITAXIAL TYPE |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MBT3904DW1T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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