參數資料
| 型號： | MC100EP01D |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE OR/NOR ECL 4INPUT 8SOIC |
| 產品變化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 標準包裝： | 98 |
| 系列： | 100EP |
| 邏輯類型： | 或非門/或門 |
| 電路數： | 1 |
| 輸入數： | 4 |
| 施密特觸發器輸入： | 無 |
| 輸出類型： | 差分 |
| 電源電壓： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | MC100EP01DOS |
MC10EP01, MC100EP01
http://onsemi.com
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Table 11. AC CHARACTERISTICS VCC = 3.0 V to 5.5 V; VEE = 0 V or VCC = 0 V; VEE = 3.0 V to 5.5 V (Note 15)
Symbol
Characteristic
40°C
25°C
85°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
fmax
Maximum Frequency
> 3
GHz
tPLH,
tPHL
Propagation Delay
D to Q, Q
150
260
330
150
270
330
200
300
350
ps
tJITTER
CycletoCycle Jitter
0.2
< 1
0.2
< 1
0.2
< 1
ps
tr
tf
Output Rise/Fall Times
Q, Q
(20% 80%)
50
120
170
60
130
180
70
150
200
ps
NOTE: Device will meet the specifications after thermal equilibrium has been established when mounted in a test socket or printed circuit
board with maintained transverse airflow greater than 500 lfpm. Electrical parameters are guaranteed only over the declared
operating temperature range. Functional operation of the device exceeding these conditions is not implied. Device specification limit
values are applied individually under normal operating conditions and not valid simultaneously.
15.Measured using a 750 mV source, 50% duty cycle clock source. All loading with 50 W to VCC 2.0 V.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
Figure 2. Fmax/Jitter
FREQUENCY (MHz)
V
OUTpp
(mV)
1
2
3
4
5
6
7
8
JITTER
OUT
(ps)
(RMS)
(JITTER)
Figure 3. Typical Termination for Output Driver and Device Evaluation
(See Application Note AND8020/D Termination of ECL Logic Devices.)
Driver
Device
Receiver
Device
QD
Q
D
Zo = 50 W
50 W
VTT
VTT = VCC 2.0 V
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