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參數資料
型號: MC14106BDR2
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 通用總線功能
英文描述: Hex Schmitt Trigger
中文描述: 4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14
封裝: SOIC-14
文件頁數: 2/8頁
文件大小: 182K
代理商: MC14106BDR2
MC14106B
http://onsemi.com
2
LOGIC DIAGRAM
13
12
10
8
6
4
2
11
9
5
3
1
V
DD
= PIN 14
V
SS
= PIN 7
EQUIVALENT CIRCUIT SCHEMATIC
(1/6 OF CIRCUIT SHOWN)
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PDF描述
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參數描述
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MC14106BDTR2 功能描述:變換器 3-18V CMOS Hex RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
MC14106BDTR2G 功能描述:變換器 3-18V CMOS Hex Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
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MC1413BD 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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