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參數資料
| 型號： | MC14106BDTR2 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | Hex Schmitt Trigger |
| 中文描述： | 4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSSOP-14 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | MC14106BDTR2 |
MC14106B
http://onsemi.com
3
4. The formulas given are for the typical characteristics only at 25 C.
5. To calculate total supply current at loads other than 50 pF:
I
T
(C
L
) = I
T
(50 pF) + (C
L
– 50) Vfk
where I
T
is in
μ
A (per package), C
L
in pF, V = (V
DD
– V
SS
) in volts, f in kHz is input frequency, and k = 0.001.
6. V
H =
V
T+
–
V
T–
(But maximum variation of V
H
is specified as less that V
T+ max
– V
T– min
).
Characteristic
DD
DD
Vdc
9.95
14.95
—
14.95
Symbol
Min
Max
Min
μ
I
T
= (3.6
μ
A/kHz) f + I
DD
T
DD
Typ
(3.)
0.88
8.8
Max
Min
V
= 0
V
in
= V
DD
Sink
10
15
1.6
5.0
10
0.64
4.2
—
—
10
15
—
—
—
0
9.95
14.95
0.05
—
—
—
15
OH
5.0
6.8
2.1
5.0
1.6
5.0
4.95
(V
OH
= 13.5 Vdc)
(V
= 1.5 Vdc)
Hysteresis Voltage
15
V
H (6.)
6.8
5.0
10
0.3
2.8
2.5
8.8
0.3
10.8
1.1
6.8
2.0
10.8
0.3
1.2
2.0
Threshold Voltage
Positive–Going
V
T+
5.0
10
2.2
—
2.2
2.9
3.6
2.2
4.6
3.6
Negative–Going
15
15
V
– 4.2
5.0
10
—
0.9
2.5
– 3.4
– 8.8
0.9
—
0.0005
0.0010
0.0015
1.9
3.9
– 2.4
2.4
2.8
5.2
—
—
0.9
2.5
2.8
5.2
Vdc
(V
= 2.5 Vdc)
OH
5.0
5.0
10
– 3.0
– 0.64
– 1.6
—
—
– 2.4
– 0.51
– 4.2
– 0.88
– 2.25
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
—
—
(V
OL
= 0.4 Vdc)
OL
I
5.0
10
0.51
—
—
30
0.36
0.9
—
mAdc
μ
(V
in
= 0)
15
—
0.25
Quiescent Current
I
5.0
10
—
—
—
1.0
0.25
—
7.5
Adc
(Dynamic plus Quiescent,
buffers switching)
10
15
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC141555 | USB Hub Controller CMOS |
| MC141555P1 | USB Hub Controller CMOS |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MC1413BD | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
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