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參數資料
| 型號： | MC1411BD |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, 7 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | MC1411BD |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC1411BP | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1411D | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1411P | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1412BD | Floating-Point Digital Signal Processors, Military 352-CFP -55 to 100 |
| MC1412BP | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC1411CP | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MC1413BD | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
| MC1413BDR2 | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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