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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC1413 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| 中文描述： | 周邊驅(qū)動(dòng)陣列 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | MC1413 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC1413BP | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1413P | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1416P | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1416BP | Digital Signal Processor 164-CFP -55 to 125 |
| MC1411 | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC1413BD | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
| MC1413BDR2 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDR2G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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