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參數資料
| 型號： | MC1413BD |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| 中文描述： | 0.5 A, 50 V, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOIC-16 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | MC1413BD |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC1413BP | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1413D | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1413P | Digital Signal Processors 141-CPGA -55 to 125 |
| MC1416BP | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
| MC1416D | PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC1413BDG | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
| MC1413BDR2 | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDR2G | 功能描述:達林頓晶體管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MC1413BDR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16 |
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