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參數(shù)資料
型號(hào)： MC74HC1G04DFT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 通用總線功能
英文描述： High speed CMOS inverter fabricated with silicon gate CMOS technology
中文描述： HC/UH SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5
封裝： LEAD FREE, SC-70, SC-88A, SOT-353, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 93K
代理商： MC74HC1G04DFT1G
MC74HC1G32
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
(V)
T
A
= 25 C
Typ
T
A
Min
85 C
55 C
T
A
125 C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Max
Min
Max
Unit
V
IH
Minimum High–Level
Input Voltage
2.0
3.0
4.5
6.0
1.5
2.1
3.15
4.20
1.5
2.1
3.15
4.20
1.5
2.1
3.15
4.20
V
V
IL
Maximum Low–Level
Input Voltage
2.0
3.0
4.5
6.0
0.5
0.9
1.35
1.80
0.5
0.9
1.35
1.80
0.5
0.9
1.35
1.80
V
V
OH
Minimum High–Level
Output Voltage
V
IN
= V
IH
or V
IL
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OH
= –20 A
2.0
3.0
4.5
6.0
1.9
2.9
4.4
5.9
2.0
3.0
4.5
6.0
1.9
2.9
4.4
5.9
1.9
2.9
4.4
5.9
V
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OH
= –2 mA
I
OH
= –2.6 mA
4.5
6.0
4.18
5.68
4.31
5.80
4.13
5.63
4.08
5.58
V
OL
Maximum Low–Level
Output Voltage
V
IN
= V
IH
or V
IL
V
IN
= V
or V
IL
I
OL
= 20 A
2.0
3.0
4.5
6.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
V
IN
= V
IH
or V
I
OL
= 2 mA
I
OL
= 2.6 mA
4.5
6.0
0.17
0.18
0.26
0.26
0.33
0.33
0.40
0.40
I
IN
Maximum Input
Leakage Current
V
IN
= 6.0 V or GND
6.0
0.1
1.0
1.0
A
I
CC
Maximum Quiescent
Supply Current
V
IN
= V
CC
or GND
6.0
1.0
10
40
A
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Input t
r
= t
f
= 6.0 ns)
T
A
= 25 C
Typ
T
A
Min
85 C
55 C
T
A
125 C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Max
Min
Max
Unit
t
PLH
,
Input A or B to Y
Maximum
V
CC
= 5.0 V
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
C
L
= 15 pF
C
L
= 50 pF
3.5
15
20
25
ns
TLH
CC
CC
V
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
= 6.0 V
8
20
20
100
27
25
125
35
35
155
L
L
Capacitance
11
125
35
25
155
45
31
38
Maximum Input
10
10
C
PD
6. C
PD
is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: I
CC(OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
is used to determine the no–load dynamic
power consumption; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
Power Dissipation Capacitance (Note 6)
10
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC74HC1G04DFT2 High speed CMOS inverter fabricated with silicon gate CMOS technology
MC74HC1G04DFT2G High speed CMOS inverter fabricated with silicon gate CMOS technology
MC74HC1G04DTT1 High speed CMOS inverter fabricated with silicon gate CMOS technology
MC74HC1G04DTT1G High speed CMOS inverter fabricated with silicon gate CMOS technology
MC74HC1G08 Single 2-Input AND Gate
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC74HC1G04DFT2 功能描述:變換器 2-6V Single CMOS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
MC74HC1G04DFT2G 功能描述:變換器 2-6V Single CMOS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
MC74HC1G04DTT1 功能描述:變換器 2-6V Single CMOS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
MC74HC1G04DTT1G 功能描述:變換器 2-6V Single CMOS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
MC74HC1G08DFT1 功能描述:邏輯門(mén) 2-6V Single 2-Input RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時(shí)間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
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