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參數資料
| 型號： | MC74HC259 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 8位可尋址鎖存1中，8解碼器 |
| 文件頁數： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | MC74HC259 |
MOTOROLA
High–Speed CMOS Logic Data
DL129 — Rev 6
2
500
Storage Temperature
SOIC Package
– 65 to + 150
C
(Plastic DIP or SOIC Package)
260
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
Derating — Plastic DIP: – 10 mW/ C from 65 to 125 C
Ceramic DIP: – 10 mW/ C from 100 to 125 C
SOIC Package: – 7 mW/ C from 65 to 125 C
(Figure 1)
0
0
500
400
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Voltages Referenced to GND)
VCC = 6.0 V
Guaranteed Limit
– 55 to
3.15
4.2
4.2
VCC
Voltage
20
μ
A
4.5
6.0
3.15
3.15
4.2
6.0
1.2
1.2
1.2
VOH
Minimum High–Level Output
Vin = VIH or VIL
2.0
1.9
1.9
1.9
5.2 mA
5.48
5.34
5.20
V
VOL
Maximum Low–Level Output
Vin = VIH or VIL
|Iout|
6.0
2.0
0.1
0.1
0.1
4.0 mA
5.2 mA
0.26
0.26
0.33
0.33
0.40
0.40
V
Iin
Maximum Input Leakage Current
Vin = VCC or GND
|Iout|
4.5
6.0
6.0
0.1
1.0
1.0
A
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high–impedance cir-
cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
range GND (Vin or Vout)
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.
VCC.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MC74HC299N | TIE WING PUSH MOUNT STD NAT 7.8,1 |
| MC74HC299 | 8-Bit Bidirectional Universal Shift Register with Parallel I/O |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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