參數資料
| 型號： | MC74LVXU04DR2 |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INVERTER HEX UNBUFFER 14SOIC |
| 產品變化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 系列： | 74LVXU |
| 邏輯類型： | 反相器 |
| 電路數： | 6 |
| 輸入數： | 1 |
| 電源電壓： | 2 V ~ 3.6 V |
| 電流 - 靜態（最大值）： | 2µA |
| 輸出電流高，低： | 4mA，4mA |
| 邏輯電平 - 低： | 0.5 V ~ 0.8 V |
| 邏輯電平 - 高： | 1.5 V ~ 2.4 V |
| 額定電壓和最大 CL 時的最大傳播延遲： | 9.7ns @ 3V ~ 3.6V，50pF |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 供應商設備封裝： | 14-SOICN |
| 封裝/外殼： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | MC74LVXU04DR2OS |
MC74LVXU04
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
V
TA = 25°C
TA = 40 to 85°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
VIH
HighLevel Input Voltage
2.0
3.0
3.6
1.5
2.0
2.4
1.5
2.0
2.4
V
VIL
LowLevel Input Voltage
2.0
3.0
3.6
0.5
0.8
0.5
0.8
V
VOH
HighLevel Output Voltage
(Vin = VIH or VIL)
IOH = 50 mA
IOH = 4 mA
2.0
3.0
1.9
2.9
2.58
2.0
3.0
1.9
2.9
2.48
V
VOL
LowLevel Output Voltage
(Vin = VIH or VIL)
IOL = 50 mA
IOL = 4 mA
2.0
3.0
0.0
0.1
0.36
0.1
0.44
V
Iin
Input Leakage Current
Vin = 5.5 V or GND
3.6
±0.1
±1.0
mA
ICC
Quiescent Supply Current
Vin = VCC or GND
3.6
2.0
20.0
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns)
Symbol
Parameter
Test Conditions
TA = 25°C
TA = 40 to 85°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Propagation Delay, Input to
Output
VCC = 2.7V
CL = 15 pF
CL = 50 pF
5.4
7.9
10.1
13.6
1.0
12.5
16.0
ns
VCC = 3.3 ± 0.3V CL = 15 pF
CL = 50 pF
4.1
6.6
6.2
9.7
1.0
7.5
11.0
tOSHL
tOSLH
OutputtoOutput Skew
(Note 6)
VCC = 2.7V
CL = 50 pF
VCC = 3.3 ±0.3V CL = 50 pF
1.5
1.5
1.5
1.5
ns
6. Skew is defined as the absolute value of the difference between the actual propagation delay for any two separate outputs of the same device.
The specification applies to any outputs switching in the same direction, either HIGHtoLOW (tOSHL) or LOWtoHIGH (tOSLH); parameter
guaranteed by design.
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
TA = 25°C
TA = 40 to 85°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Cin
Input Capacitance
4
10
10
pF
Power Dissipation Capacitance (Note 7)
18
pF
7. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC/6 (per buffer). CPD is used to determine the
noload dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns, CL = 50 pF, VCC = 3.3 V, Measured in SOIC Package)
Symbol
Characteristic
TA = 25°C
Unit
Typ
Max
VOLP
Quiet Output Maximum Dynamic VOL
0.3
0.5
V
VOLV
Quiet Output Minimum Dynamic VOL
0.3
0.5
V
VIHD
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
2.0
V
VILD
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
0.8
V
Figure 2. Switching Waveforms
VCC
GND
50%
50% VCC
A
O
tPHL
tPLH
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 3. Test Circuit
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC74LVXU04DR2G | 功能描述:變換器 2-3.6V CMOS Hex Unbuffered RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| MC74LVXU04DT | 功能描述:變換器 2-3.6V CMOS Hex RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| MC74LVXU04DTG | 功能描述:變換器 2-3.6V CMOS Hex Unbuffered RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| MC74LVXU04DTR2 | 功能描述:變換器 2-3.6V CMOS Hex RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
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