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參數(shù)資料
| 型號： | MCH3420 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | MCH3420 |
| 中文描述： | MCH3420 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | MCH3420 |
MCH3420
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCPH3
0
0
0
2
1
2.0
0.65
0.3
0
0.15
1
2
3
1
(Top view)
2
3
(Bottom view)
PW=10
s
D.C.
1%
P.G
50
G
S
D
ID=0.25A
RL=200
VDD=50V
VOUT
MCH3420
VIN
10V
0V
VIN
°
°
°
°
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH3443 | N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| MCH5541 | MCH5541 |
| MCH5702 | DC / DC Converter Applications |
| MCH5802 | DC / DC Converter Applications |
| MCH5803 | DC / DC Converter Applications |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH3420-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 100V 0.5A 1.85 lbogR Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 100V 0.5A SC-82 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| MCH3421 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3421-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MCH3427-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MCH3431 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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