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參數(shù)資料
型號: MG100Q2YS50
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述: 硅N通道IGBT的(不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管)
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 339K
代理商: MG100Q2YS50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG100Q2YS51A CABLE, EHT, RED, 5.2MM, 25M; Area, conductor CSA:0.5mm2; Conductor make-up:7/0.3mm; Voltage rating, AC:2500V dc; Current rating:10A; Colour, primary insulation:Red; Material, primary insulation:PVC; Diameter, External:5.2mm; Length, RoHS Compliant: Yes
MG100Q2YS51 UltraThin Wireless Access Point, Dual 802.11 a/b/g Radios; Approval Categories:UL, EN & IEC: 60950-I; EMC FCC Part 15 Class B, EN 301 489-1-17; Data Rate Max:48Mbps; External Depth:1.8"; External Height:4.2"; External Width:7.7" RoHS Compliant: Yes
MG100Q2YK1 TRANSISTOR MODULES
MG100Q2YL1 TRANSISTOR MODULES
MG100Q2Y HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG100Q2YS50A 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG100Q2YS51 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG100Q2YS51A 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG100Q2YS65H 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG1010-11 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:GUNN Diodes Cathode Heat Sink
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