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參數資料
| 型號： | MG150J2YS50 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 硅N通道IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | MG150J2YS50 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG150J7KS50 | TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| MG150Q1JS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG150Q2YS51 | 8-Port Wireless Switch; Approval Categories:UL, EN & IEC: 60950-I; EMC FCC Part 15 Class B, EN 300386; Data Rate Max:54Mbps; External Depth:9.4"; External Height:1.89"; External Width:16.9" RoHS Compliant: Yes |
| MG150Q2YK1 | TRANSISTOR MODULES |
| MG150Q2YL1 | TRANSISTOR MODULES |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MG150J7KS50 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| MG150J7KS60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR MODULE SILICON N CHANNEL IGBT |
| MG150J7KS61 | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 150A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| MG150M2YK1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG150M2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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