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參數資料
| 型號： | MG200Q2YS65H |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | MG200Q2YS65H |
MG200Q2YS65H
2002-10-04
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG200Q2YS65H
High Power & High Speed Switching
Applications
High input impedance
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Gate-emitter voltage
V
GES
20
V
DC
I
C
200
Collector current
1 ms
I
CP
400
A
DC
I
F
200
Forward current
1 ms
I
FM
400
A
Collector power dissipation
(Tc 25°C)
P
C
1310
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40 to 125
°C
Isolation voltage
V
Isol
2500
(AC 1 minute)
V
Terminal
3
Screw torque
Mounting
3
N
m
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109C4A
Weight: 430 g (typ.)
G1 E1/C2
E2
G2
E1
E2
C1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| MG25Q1BS11 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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