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參數(shù)資料
| 型號： | MG300Q2YS65H |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | MG300Q2YS65H |
MG300Q2YS65H
2003-03-11
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG300Q2YS65H
High Power & High Speed Switching
Applications
High input impedance
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Gate-emitter voltage
V
GES
20
V
DC
I
C
300
Collector current
1 ms
I
CP
600
A
DC
I
F
300
Forward current
1 ms
I
FM
600
A
Collector power dissipation
(Tc 25°C)
P
C
2700
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40 to 125
°C
Isolation voltage
V
Isol
2500
(AC 1 minute)
V
Terminal
3
Screw torque
Mounting
3
N
m
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109C4A
Weight: 430 g (typ.)
G1 E1/C2
E2
G2
E1
E2
C1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG30G6EL2 | TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| MG400J1US51 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG400J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG50J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG50Q2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG-3020DD | 制造商:EPSONTOYOCOM 制造商全稱:Epson ToYoCom 功能描述:Crystal oscillator |
| MG30G2CL3 | 制造商:n/a 功能描述:_ 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG30G2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG30G2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG30G6EL2 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
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