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參數資料
| 型號： | MGC15N40CL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| 中文描述： | 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | MGC15N40CL |
MGP15N40CL, MGB15N40CL, MGC15N40CL
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
TO–220
CASE 221A–09
ISSUE AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1 2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 9:
PIN 1. GATE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
D2PAK
CASE 418B–03
ISSUE D
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SEATING
PLANE
S
G
D
0.13 (0.005)
–T–
M
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
MILLIMETERS
INCHES
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
–B–
M
B
STYLE 3:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
4. CATHODE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGB15N40CLT4 | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGP15N43CL | Internally Clamped N-Channel IGBT |
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| MGW14N60ED | Insulated Gate Bipolar Transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| MGC30238901 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Panel,Front |
| MGC30240501 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Panel,Front |
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