- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371102 > MGF0952P (Mitsubishi Electric Corporation) L & S BAND GaAs FET [ Plastic Mold Lead-less PKG ] PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MGF0952P |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | L & S BAND GaAs FET [ Plastic Mold Lead-less PKG ] |
| 中文描述： | 蜇 |
| 文件頁數： | 1/50頁 |
| 文件大小： | 1439K |
| 代理商： | MGF0952P |
當前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR<GaAs FET>
MGF0952P
L & S BAND GaAs FET
[ Plastic Mold Lead-less PKG ]
DESCRIPTION
The MGF0952P GaAs FET with an N-channel schottky
Gate, is designed for use L/S band amplifiers.
FEATURES
High output power
Po=36.5dBm(TYP.) @f=2.15GHz,Pin=25Bm
High power gain
Glp=13.5dB(TYP.) @f=2.15GHz
High power added efficiency
η
add=50%(TYP.) @f=2.15GHz,Pin=25dBm
Plastic Mold Lead-less PKG
APPLICATION
For L/S Band power amplifiers
QUALITY
GG
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS
Vds=10V
Ids=700mA
Rg=100
Delivery
Tape & Reel(1.5K)
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Symbol
Parameter
V
GSO
Gate to sourcebreakdown voltage
V
GDO
Gate to drain breakdown voltage
I
D
Drain current
I
GR
Reverse gate current
I
GF
Forward gate current
P
T
Total power dissipation
Tch
Cannel temperature
Tstg
Storage temperature
Recommended maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Symbol
Parameter
Tch
Cannel temperature
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
Parameter
V
GS(off)
Gate to source cut-off voltage
Po
*1
Output power
η
add *1
Power added Efficiency
G
LP *2
Linear Power Gain
IM3 *3
3
rd
order Modulation Distortion
Rth(ch-c)
Thermal Resistance *1
Ratings
-15
-15
3.5
-10
21
20.0
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
mA
mA
W
°
C
°
C
Ratings
150
Unit
°
C
Test conditions
Limits
Typ.
-3
36.5
50
13.5
-42
4.5
Unit
V
dBm
%
dB
dBc
°
C/W
V
DS
=3V,I
D
=12.6mA
V
DS
=10V,I
D
=700mA,f=2.15GHz
*1:Pin=25dBm, *2:Pin=15dBm
*3:f1=2.15GHz,f2=2.16GHz
Po(SCL)=25dBm
Vf Method
Min.
-1
35.0
--
11
--
--
Max.
-5
--
--
--
--
6.5
*1:
Channel to case / Above parameters, ratings, limits are subject to change.
(1/50)
Mitsubishi Electric Mar./2005
Fig.1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF1302 | LOW NOISE GaAs FET |
| MGF1303 | LOW NOISE GaAs FET |
| MGF1303B | LOW NOISE GaAs FET |
| MGF1304A | FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
| MGF1305 | FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGF0952P_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0953P | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0953P_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF100-30 | 制造商:SMC Corporation of America 功能描述:CYL, GUIDE 100MM BORE |
| MGF1302 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:LOW NOISE GaAs FET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。