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參數資料
| 型號： | MGFL45V1920A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| 中文描述： | 1.9 - 2.0GHz的頻段32W國內MATCHD砷化鎵場效應管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | MGFL45V1920A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFL45V1920 | 1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFX39V0717 | 10.7 - 11.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGP11N60ED | 11A，600V Insulated Gate Biploar Transistor with Anti-Parallel Diode（N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate）(帶軟恢復超快速整流器的絕緣柵雙極性晶體管（N溝道增強型硅門）) |
| MGP11N60ED | SHORT CIRCUIT RATED LOW ON-VOLTAGE |
| MGP20N40CL | CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGFL45V1920A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9 - 2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFL45V1920A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0 GHz BAND / 32W |
| MGFL48L1920 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0GHz BAND 60W GaAs FET |
| MGFL48V1920 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0 GHz BAND / 60W |
| MGFL48V1920_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0 GHz BAND / 60W |
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