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參數資料
| 型號： | MJ11012 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（30A條,60 - 120伏特，功率200W） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | MJ11012 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJ11016 | POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W) |
| MJ11020 | POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W) |
| MJ11020 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators |
| MJ11031 | POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W) |
| MJ11033 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJ11012_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Current Complementary Silicon Transistors |
| MJ11012G | 功能描述:達林頓晶體管 30A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJ11012G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MJ11013 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Power RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJ11014 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 3 30 Amp Darlington Transistors NPN |
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