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參數資料
型號: MJ11021
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
中文描述: 15 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 235K
代理商: MJ11021
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
"
!
. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and
motor control applications.
High dc Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min (All Types)
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) – MJ11018, 17
VCEO(sus)
= 250 Vdc (Min) – MJ11022, 21
Low Collector–Emitter Saturation
VCE(sat) = 1.0 V (Typ) @ IC = 5.0 A
VCE(sat)
= 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A
100% SOA Tested @ VCE = 44 V, IC = 4.0 A, t = 250 ms.
Rating
Collector–Emitter Voltage
Symbol
VCEO
MJ11017
150
MJ11021
250
Unit
Vdc
Derate Above 25 C
175
Watts
150
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
50
75
100
125
200
200
50
P
100
0
150
175
25
0
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MJ11017/D
30 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
60–120 VOLTS
200 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
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PDF描述
MJ11022 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11017 POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
MJ11021 POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
MJ11022 POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
MJ11030 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
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參數描述
MJ11021_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Silicon Power Transistors
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MJ11021G 功能描述:達林頓晶體管 30A 250V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11021G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MJ11022 功能描述:TRANS DARL NPN 15A 250V TO-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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