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參數(shù)資料
型號: MJ11030
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 Pin, MFP, Pin Pitch 1.27mm, Photdarlington Detector, CTR 600 min @ 1mA, 2V Optocoupler
中文描述: 50 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝: CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 153K
代理商: MJ11030
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
Curves to 100 A (Pulsed)
Diode Protection to Rated IC
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
ICM
100
Base Current — Continuous
Peak
IB
PD
2
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25 C
300
Watts
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
3.0 k
25
PNP
MJ11029
MJ11031
MJ11033
BASE
EMITTER
COLLECTOR
3.0 k
25
NPN
MJ11028
MJ11030
MJ11032
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ11028/D
50 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
60–120 VOLTS
300 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 197A–05
TO–204AE (TO–3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ11028 COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
MJ11029 COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
MJ11028 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
MJ11029 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
MJ11032 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ11030G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 BIP NPN 50A 90V FG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11031 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W)
MJ11032 功能描述:達(dá)林頓晶體管 50A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11032 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
MJ11032G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 50A 120V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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