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參數資料
型號: MJ1500
廠商: 永盛國際集團
英文描述: NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
中文描述: NPN平面硅晶體管(音頻功率放大器直流到直流轉換器)
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 72K
代理商: MJ1500
MJ1500
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR
1
AUDIO POWER AMPLIFIER
DC TO DC CONVERTER
!
High Current Capability
!
High Power Dissipation
!
Complementary to MJ15002
TO-3
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T
a
=25
°
C
)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base voltage
Collector Current (DC)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
140
140
5
15
200
150
-50~150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
°
C
)
Characterristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
*DC Current Gain
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE(sat)
IC=10 mA IE=0
IC=5 mA RBE=
IE=5 mA IC=0
VCB=70V IE=0
VEB=4V IC=0
VCE=5V IC=1A
VCE=5V IC=4A
IC=4A IB=0.4A
140
140
5
30
25
0.1
0.1
150
1.0
V
V
V
mA
mA
V
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage:
http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: wsccltd@hkstar.com
相關PDF資料
PDF描述
MJ15026 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
MJ15027 PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
MJ21294G NPN Silicon Power Transistor
MJ21294 NPN Silicon Power Transistor(NPN型硅功率晶體管)
MJ2253 Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.
相關代理商/技術參數
參數描述
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MJ15001_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Transistors
MJ15001G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15002 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15002G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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