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參數資料
| 型號： | MJB45H11 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Complementary Power Transistors |
| 中文描述： | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJB45H11 |
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
http://onsemi.com
4
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
V
CE
= 4 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
40
°
C
1000
0.1
Figure 4. MJB44H11 DC Current Gain
10
1
10
100
Figure 5. MJB45H11 DC Current Gain
Figure 6. MJB44H11 Current Gain
versus Temperature
Figure 7. MJB45H11 Current Gain
versus Temperature
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
0.1
Figure 8. MJB44H11 OnVoltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
T
J
= 25
°
C
Figure 9. MJB45H11 OnVoltages
V
CE
= 1 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
h
1000
0.1
10
1
10
100
V
CE
= 1 V
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
V
CE
= 4 V
1000
0.1
10
1
10
100
T
J
= 25
°
C
1 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
40
°
C
h
1000
0.1
10
1
10
100
V
CE
= 1 V
V
BE(sat)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
CE(sat)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJB45H11T4 | Complementary Power Transistors |
| MJF31C | 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS |
| MJF32C | 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS |
| MJF44H11 | Complementary Power Transistors |
| MJF45H11 | Complementary Power Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJB45H11G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB45H11T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB45H11T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB47166901 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Stopper |
| MJB56852702 | 制造商:LG Corporation 功能描述:STOPPER |
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