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參數資料
| 型號： | MJD148T4 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Power Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | MJD148T4 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
June, 2004 Rev. 2
1
Publication Order Number:
MJD148/D
MJD148
NPN Silicon Power
Transistor
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
High Gain 50 Min @ I
C
= 2.0 A
Low Saturation Voltage 0.5 V @ I
C
= 2.0 A
High Current Gain Bandwidth Product f
T
= 3.0 MHz Min @
I
C
= 250 mAdc
Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in
ESD Ratings:
Human Body Model, 3B; >8000 V
Machine Model, C; >400 V
mAdc
I
P
20
Peak
Base Current
50
D
C
7.0
Derate above 25
°
C
T
J
, T
stg
55 to
0.014
W/
°
C
Operating and Storage Junction
°
C
JC
JA
(Note 1)
sizes recommended.
4.0 Amps
45 Volts
20 Watts
POWER TRANSISTOR
MARKING
DIAGRAM
J148
Y
WW
= Device Code
= Year
= Work Week
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MJD148T4
DPAK
2500/Tape & Reel
DPAK
CASE 369C
STYLE 1
http://onsemi.com
For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
1 2
3
4
YWW
J148
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD49T4 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| MJE13002A | GT 26C 26#16 SKT PLUG |
| MJE13005B | GT 54C 54#16 SKT RECP |
| MJE13005F | GT 25C 25#12 SKT RECP |
| MJE13007F | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC CONVERTER) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJD148T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD18002D2 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor |
| MJD18002D2T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD18002D2T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD200 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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