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參數資料
| 型號： | MJE15029S |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | MJE15029S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA06-STYLE-D | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE18004WD | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MTP5N40EWC | 5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MG50H2DM1 | 50 A, 500 V, 0.13 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MPSA93RLRA | 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE15030 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15030G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15031 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15031 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-220 |
| MJE15031G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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