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參數資料
| 型號： | MJE16004 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | MJE16004 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16004 | 5.0 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 450 VOLTS 80 WATTS |
| MJE170 | POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) |
| MJE170 | PNP (LOW POWER AUDIO AMPLIFIER) |
| MJE171 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
| MJE181 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE16106 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 400 VOLTS 100 AND 125 WATTS |
| MJE16204 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-220 |
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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