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參數資料
| 型號： | MJE2360T |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(0.5A,350V,30W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（為0.5A，350V，功率30W） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商： | MJE2360T |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE2360T | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 350 VOLTS 30 WATTS |
| MJE2361T | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 350 VOLTS 30 WATTS |
| MJE2361T | POWER TRANSISTORS(0.5A,350V,30W) |
| MJE2801 | POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) |
| MJE2801T | POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE2361T | 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(0.5A,350V,30W) |
| MJE240 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MJE241 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE242 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE243 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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