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參數(shù)資料
型號(hào)： MJE2360TBD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/59頁(yè)
文件大小： 340K
代理商： MJE2360TBD
3–626
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN Silicon High-Voltage
Transistor
. . . useful for general–purpose, high voltage applications requiring high fT.
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 350 Vdc (Min) @ IC = 2.5 mAdc
DC Current Gain —
hFE = 40 (Min) @ IC = 100 mAdc — MJE2361T
Current–Gain–Bandwidth Product —
fT = 10 MHz (Typ) @ IC = 50 mAdc
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
350
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
375
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
0.5
Adc
Base Current
IB
0.25
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
30
0.24
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θJC
4.167
_C/W
40
0
40
80
120
160
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
30
35
20
25
10
15
5.0
20
60
100
140
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MJE2360T
MJE2361T
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
350 VOLTS
30 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE2361TAU 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TBU 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TBD 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TAN 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TAK 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE2361T 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(0.5A,350V,30W)
MJE240 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MJE241 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE242 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE243 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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