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參數資料
| 型號： | MJE2361TBG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/59頁 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | MJE2361TBG |
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3–626
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN Silicon High-Voltage
Transistor
. . . useful for general–purpose, high voltage applications requiring high fT.
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 350 Vdc (Min) @ IC = 2.5 mAdc
DC Current Gain —
hFE = 40 (Min) @ IC = 100 mAdc — MJE2361T
Current–Gain–Bandwidth Product —
fT = 10 MHz (Typ) @ IC = 50 mAdc
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
350
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
375
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
0.5
Adc
Base Current
IB
0.25
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
30
0.24
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θJC
4.167
_C/W
40
0
40
80
120
160
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
30
35
20
25
10
15
5.0
20
60
100
140
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MJE2360T
MJE2361T
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
350 VOLTS
30 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE2360TBG | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2361TAJ | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2361TAK | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2361TBS | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2361TAF | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE240 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MJE241 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE242 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE243 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE243_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors 100 VOLTS, 15 WATTS |
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