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參數(shù)資料
| 型號： | MJE702T |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（4.0a上,60 - 80V的，功率40W） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 194K |
| 代理商： | MJE702T |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE703T | POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
| MJH16002 | POWER TRANSISTORS(5A,450V,100W) |
| MJH16004 | POWER TRANSISTORS(5A,450V,100W) |
| MJSR-26PS001 | Micro Center Jackscrew |
| MJSU-66PH003 | Micro Center Jackscrew |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE703 | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE703G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE703STU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE703T | 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
| MJE710 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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