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參數資料
型號: MJH10012
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
中文描述: 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
封裝: CASE 340D-02, 3 PIN
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 191K
代理商: MJH10012
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The MJ10012 and MJH10012 are high–voltage, high–current Darlington transistors
designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications.
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 400 Vdc (Min)
175 Watts Capability at 50 Volts
Automotive Functional Tests
15
Base Current
Total Power Dissipation
Derate above 25 C
— Peak (1)
IB
PD
2.0
Adc
1.0
W/ C
Operating and Storage Junction
–65 to +200
1.05
–55 to +150
THERMAL CHARACTERISTICS
C
Characteristic
Symbol
Thermal Resistance, Junction to Case
Maximum Lead Temperature for
TL
Max
R
θ
JC
1.0
275
Unit
C/W
0.95
275
C
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MJ10012/D
10 AMPERE
POWER TRANSISTORS
DARLINGTON NPN
SILICON
400 VOLTS
175 AND 118 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MJ10012
CASE 340D–01
TO–218 TYPE
MJH10012
1 k
30
BASE
COLLECTOR
REV 2
相關PDF資料
PDF描述
MJ10012 POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
MJ10012 POWER TRANSISTORS(10A,400V,175W)
MJ10015 50 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 400 AND 500 VOLTS 250 WATTS
MJ10016 NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJ10015 NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
相關代理商/技術參數
參數描述
MJH11017 功能描述:達林頓晶體管 15A 150V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH11017_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATTS
MJH11017G 功能描述:達林頓晶體管 15A 150V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH11018 功能描述:達林頓晶體管 15A 150V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH11018G 功能描述:達林頓晶體管 20A 150V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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