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參數(shù)資料
| 型號： | MJH6286 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 20 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 340D-01, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/61頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | MJH6286 |
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3–821
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching motor control
applications.
Similar to the Popular NPN 2N6282, 2N6283, 2N6284 and the PNP 2N6285,
2N6286, 2N6287
Rugged RBSOA Characteristics
Monolithic Construction with Built–in Collector–Emitter Diode
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MJH6282
MJH6285
MJH6283
MJH6286
MJH6284
MJH6287
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
80
100
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
80
100
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
20
40
Adc
Base Current
IB
0.5
Adc
Total Device Dissipation @
TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
160
1.28
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
0.78
_C/W
160
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
0
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
50
75
125
150
200
100
175
25
Figure 1. Power Derating
0
20
40
60
80
100
140
120
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MJH6282
MJH6283
MJH6284
MJH6285
MJH6286
MJH6287
DARLINGTON
20 AMPERE
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
60, 80, 100 VOLTS
160 WATTS
*Motorola Preferred Device
*
NPN
PNP
*
CASE 340D–01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJH6283 | 20 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJH6282 | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJH6285 | 20 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJH6282G | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MK10DN512ZVMC10 | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA121 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJH6287 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 20A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJH62873601 | 制造商:LG Corporation 功能描述:SUPPORTER |
| MJH62873602 | 制造商:LG Corporation 功能描述:SUPPORTER |
| MJH62874201 | 制造商:LG Corporation 功能描述:SUPPORTER |
| MJH62874202 | 制造商:LG Corporation 功能描述:SUPPORTER |
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