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參數資料
| 型號： | MJUN08DS-GOA |
| 廠商： | CRANE CONNECTORS |
| 元件分類： | 連接器件 |
| 英文描述： | INTERCONNECTION DEVICE |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | MJUN08DS-GOA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWDM1L-21GS-6J1-2F | INTERCONNECTION DEVICE |
| MWDM1L-21GS-6J1-2P | INTERCONNECTION DEVICE |
| MMSD-04-30-F-03.00-D-LDS | INTERCONNECTION DEVICE |
| MMSD-18-26-L-03.25-S | INTERCONNECTION DEVICE |
| MMSD-23-26-F-03.00-D-LUS | INTERCONNECTION DEVICE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJW0281A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 260V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW0281A_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors |
| MJW0281AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DIP PWR XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW0302A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 260V 150W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW0302AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIP PWR XSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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