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參數(shù)資料
| 型號： | MKI75-06A7 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
| 中文描述： | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | MKI75-06A7 |
2002 IXYS All rights reserved
4 - 4
B3
MKI 75-06 A7
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
40
80
120
160
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
0
25
50
75
100
0
40
80
120
I
C
160
0
1
2
3
4
5
0
100
200
300
400
500
0.000010.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
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0.1
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0
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R
G
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300
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20
30
40
R
G
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60
0
2
4
6
8
10
mJ
0
20
40
60
80
100
single pulse
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 18
T
VJ
= 125°C
MWI7506A7
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
VJ
= 125°C
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
700
0
40
80
120
160
R
G
= 18
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 18
T
VJ
= 125°C
E
on
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
VJ
= 125°C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
A
E
off
E
on
t
t
t
s
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
A
mJ
ns
ns
mJ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MKP1V160 | MS3126E20-41PYF0 |
| MKP1V160RL | CANMS3126E22-21SF0 |
| MKP1V240 | KPSE 21C 21#16 SKT PLUG |
| MKP1V240RL | Sidac High Voltage |
| MKP3V240 | Sidac High Voltage Bidirectional Triggers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MKI75-06A7T | 功能描述:IGBT 模塊 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MKI75-12E8 | 功能描述:IGBT 模塊 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MKI80-06T6K | 功能描述:IGBT 模塊 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MKIAP20 | 制造商:ILME 功能描述:HOUSING, 1 LEVER, SURFACE MOUNT, PLASTIC; Series:MK; Accessory Type:Angled Bulkhead Housing; For Use With:MK Series ILME Multipole Connector Inserts; Connector Shell Size:-; Cable Exit Angle:Side; Connector Body Mater ;RoHS Compliant: Yes |
| M-KIT | 功能描述:KIT CAP RADIAL M SERIES 170 PCS RoHS:是 類別:套件 >> 無源 - 電容器 系列:M 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:SP-Cap CD, CX, SL, SX 套件類型:聚合物，鋁電解 值:135 件 - 39µF ~ 470µF，各 15 件 包裝:- 安裝類型:表面貼裝 包括封裝:7343-17，7343-20 產(chǎn)品目錄頁面:2651 (CN2011-ZH PDF) 工具箱內(nèi)容:(15) PCE4991CT-ND - CAP ALUM 220UF 4V 20% SMD(15) PCE4990CT-ND - CAP ALUM 330UF 2V 20% SMD(15) PCE4989CT-ND - CAP ALUM 150UF 6.3V 20% SMD(15) PCE4988CT-ND - CAP ALUM 150UF 6.3V 20% SMD(15) PCE4943CT-ND - CAP ALUM 39UF 10V 20% SMD(15) PCE4823CT-ND - CAP ALUM 470UF 2V 20% SMD(15) PCE4816CT-ND - CAP ALUM 220UF 4V 20% SMD(15) PCE4479CT-ND - CAP ALUM 220UF 2V 20% SMD(15) PCE4472CT-ND - CAP ALUM 120UF 2V 20% SMD 其它名稱:SP4-KIT |
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