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RU1E002SPTCL ROHM

朱小姐 | 1033 天前 16:09 | 閱讀(119)
制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-323-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 250 mA
Rds On-漏源導通電阻: 900 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: -
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 23 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
系列: RU1E002SP
3000
子類別:<

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