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參數資料
| 型號： | MMBA811C7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP (DRIVER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 進步黨（驅動晶體管） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | MMBA811C7 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBA811C8 | PNP (DRIVER TRANSISTOR) |
| MMBA812M3 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MMBA812M4 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MMBA812M5 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MMBA812M6 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBA811C8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PNP (DRIVER TRANSISTOR) |
| MMBA812M3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MMBA812M4 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MMBA812M5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MMBA812M6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor) |
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