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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBC1623L7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | npn型（放大器晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | MMBC1623L7 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBC1626L6 | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| MMBD2838LT1 | Monolithic Dual Switching Diodes(雙開(kāi)關(guān)二極管) |
| MMBD354LT1 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes(雙熱載流子混頻器二極管) |
| MMBD914LT1 | High Speed Switching Diode(高速開(kāi)關(guān)二極管) |
| MMBD914L | High-Speed Switching Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBC1626L6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| MMBC1654N7LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBD 7000 LT1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) AF DIODE 100V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD 914 LT1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) AF DIODE 100V 0.25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD 914 LT3 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) Silicon Switch Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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