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參數資料
| 型號： | MMBD110T1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Diodes |
| 中文描述： | 肖特基勢壘二極管 |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | MMBD110T1 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(IR = 10
μ
A)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
V(BR)R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
Volts
Diode Capacitance
(VR = 0, f = 1.0 MHZ, Note 1)
(VR = 15 Volts, f = 1.0 MHZ)
(VR = 20 Volts, f = 1.0 MHZ)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
CT
—
—
—
0.88
0.9
0.5
1.0
1.5
1.0
pF
Reverse Leakage
(VR = 3.0 V)
(VR = 25 V)
(VR = 35 V)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
IR
—
—
—
20
13
9.0
250
200
200
nAdc
Noise Figure
(f = 1.0 GHz, Note 2)
MMBD110T1
NF
—
6.0
—
dB
Forward Voltage
(IF = 10 mA)
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mA)
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mA)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
VF
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
Vdc
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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