型號: | MMBD1501AS62Z |
廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
英文描述: | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大小: | 93K |
代理商: | MMBD1501AS62Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBD1501L99Z | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
MURD310 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MURS310T3 | 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MR874 | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
MDA102A | 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MMBD1501A-T | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
MMBD1501A-TP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Switching Diode 600mA, 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD1501T | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD1501-TP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD1502A | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |